日本京都大学Nat.Commun.:一种强给电子石墨烯纳米带催化剂的电化学表面合成

作者开发了一种表面电化学技术,该技术利用双电层上不对称前驱体的氧化还原反应,其中强电场限制在液固界面。作者成功地证明了在<80°C的温度下,在不分解官能团的情况下,在电极上逐层生长强电子供体GNR。

研究背景与内容

边缘功能化石墨烯纳米带的表面合成备受关注。然而,在热活化的金属表面上通过超高真空表面合成大规模生产这种GNR一直是一个挑战。这主要是由于官能团在300 ~ 500℃的温度下分解,基于金属催化的单层GNR生长受到限制。

在此,作者开发了一种表面电化学技术,该技术利用双电层上不对称前驱体的氧化还原反应,其中强电场限制在液固界面。作者成功地证明了在<80°C的温度下,在不分解官能团的情况下,在电极上逐层生长强电子供体GNR。

研究要点

要点一:本文中作者开发了一种使用电化学生产功能性GNR的原始技术。作者的技术利用氧化还原反应,包括离子聚合和基于氧化的脱氢,这些反应发生在液固界面的双电层(EDL)中。

要点二:作者发现了这种非线性的电化学表面合成机制,其中电化学通过高压双电子氧化产生的双阳离子成为活性中间体,负责杂手性双阳离子聚合,然后进行氧化脱氢,从而形成GNR。作者开发的技术不同于现有的电化学方法,因为它促进了不对称前体的区域选择性离子聚合,然后通过施加可控脉冲持续时间的高压进行基于氧化还原的脱氢。

日本京都大学Nat.Commun.:一种强给电子石墨烯纳米带催化剂的电化学表面合成

图1:电化学表面合成的概念。2-丁氧萘不对称前体的电化学表面合成和异手性生长功能GNR的说明。

日本京都大学Nat.Commun.:一种强给电子石墨烯纳米带催化剂的电化学表面合成

图5:GNR辅助化学蚀刻Si和光电导率。经HF和H2O2气相化学刻蚀前后,GNR覆盖Si的SEM图像a和b。c b. d电化学制备的GNR、5-AGNR、7-AGNR、石墨烯、金属碳纳米管、半导体碳纳米管和金的Si刻蚀催化性能。插图显示了GNR辅助Si蚀刻的机理。e FeCl3掺杂下电化学制备的GNR、5-AGNR和7-AGNR的光电导率。插图显示了实验装置。

参考文献

Hiroshi Sakaguchi, Takahiro Kojima, Yingbo Cheng. et al. Electrochemical on-surface synthesis of a strong electron-donating graphene nanoribbon catalyst. Nature Communications. (2024).

https://www.nature.com/articles/s41467-024-50086-6

第一作者:Hiroshi Sakaguchi

通讯作者:Hiroshi Sakaguchi

通讯单位:日本京都大学

本文来自催化进展,本文观点不代表石墨烯网立场,转载请联系原作者。

(0)
石墨烯网石墨烯网
上一篇 2024年8月2日 09:08
下一篇 2024年8月2日

相关推荐

发表回复

登录后才能评论
客服

电话:134 0537 7819
邮箱:87760537@qq.com

返回顶部