研究透视：石墨烯-量子霍尔效应 | Science

拓扑绝缘体的边缘态，可用来探索在低维和拓扑界面上出现的基础科学。然而，对于螺旋型边缘态，实现稳健的电导量子化，已证明是极具挑战的。

近日，美国 宾夕法尼亚州立大学（The Pennsylvania State University）Ke Huang，Jun Zhu等，在Science上发文，报道了在扭折kink态中，宽电阻平台——伯纳尔双层石墨烯中量子谷霍尔效应的一种表现——在零磁场时，量子化到预测值。

这些结果证明了，扭折态的鲁棒性和可调性，以及在构建电子量子光学器件中的前景。

High-temperature quantum valley Hall effect with quantized resistance and a topological switch
具有量子化电阻和拓扑开关的高温量子谷霍尔效应

图1. 在双层石墨烯中的量子谷霍尔扭折态。

图2. 扭折态的电阻量子化。

图3. 结电阻的温度依赖性。

图4. 扭折态的直流偏压依赖性。

图5.一种拓扑相变控制开关。

文献链接

Ke Huang et al. , High-temperature quantum valley Hall effect with quantized resistance and a topological switch. Science0, eadj3742

DOI:10.1126/science.adj3742

https://www.science.org/doi/10.1126/science.adj3742<本文译自Science。