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自第一篇关于单层MoS2基晶体管的报告以来，基于二维（2D）材料的原子薄电子器件取得了快速进展，为解决硅器件小型化的瓶颈提供了替代方法。在这种情况下，金属电极和亚纳米厚的二维材料之间的可靠接触对于决定器件性能至关重要。在这里，我们利用氟金云母上金属的准范德华 (vdW) 外延，展示了一种全堆叠方法，通过机械转移预沉积金属电极来制造具有高质量 vdW 接触的 2D 器件。该技术适用于尺寸高达晶圆级的复杂器件集成，并且还能够通过转移选择性金属来调节界面结的电特性。我们的研究结果为二维电子学提供了一种高效、可扩展且低成本的技术，允许高密度器件集成以及 vdW 材料基础研究的便捷工具。
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Reliable wafer-scale integration of two-dimensional materials and metal electrodes with van der Waals contacts
Nature Communications ( IF 16.6 ) Pub Date : 2024-05-30 , DOI: 10.1038/s41467-024-49058-7
Xiaodong Zhang , Chenxi Huang , Zeyu Li , Jun Fu , Jiaran Tian , Zhuping Ouyang , Yuliang Yang , Xiang Shao , Yulei Han , Zhenhua Qiao , Hualing Zeng
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