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环境稳定性是二维材料应用的焦点之一，特别是那些众所周知的空气敏感材料，如黑磷(BP)和过渡金属碲化物。
传统的封装方法，如氧化物的原子层沉积和六方氮化硼的非均相集成等，在对二维材料进行封装以进一步制作器件时，很难避免去除封装层，这给工艺带来了复杂性和损伤。
本文介绍了一种利用液态镓中的Ga2O3直接制备器件而无需去除封装层的范德华封装方法。利用致密的天然氧化镓对环境的隔离能力，封装后的BP和MoTe2器件的光电性能保持时间比未封装器件长数百倍。由于Ga2O3的超薄高κ特性，可以直接用封装层制作顶门控器件，同时作为介电层。这种直接器件的制造是通过Ga2O3的选择性蚀刻来实现的，而封装材料是完整的。封装的1T’ MoTe2即使在环境中放置150天后也具有高导电性。因此，与传统的钝化方法相比，该方法是一种有前途和独特的方法。
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Van der Waals Encapsulation by Ultrathin Oxide for Air-Sensitive 2D Materials
Adv. Mater.
Pub Date : 2024-06-11
DOI : 10.1002/adma.202403494
Kongyang Yi 1 , Yao Wu 1 , Liheng An 2 , Ya Deng 1 , Ruihuan Duan 1 , Jiefu Yang 1 , Chao Zhu 1 , Weibo Gao 2 , Zheng Liu 1
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