二维（2D）范德华（vdW）材料的特殊物理性质已被广泛研究，从而推动了材料合成的发展。外延生长是一种突出的合成策略，其能够生产出与先进集成电路兼容的大面积、高质量2D薄膜。典型的2D单晶，如石墨烯、过渡金属二硫属化物和六方氮化硼，已实现在晶片规模上外延生长。近日，北京大学刘开辉综述研究了二维材料及其同质结构的外延生长。
本文要点：
1) 作者从两个方向关注2D vdW材料的外延方法：平面内单晶单层的生长和平面外同质结构的制造。作者首先讨论了单畴的成核控制和多畴的取向控制，以实现大规模单晶单层。
2) 作者用各种外延生长技术分析了典型二维vdW材料的缺陷水平和晶体质量的测量。然后，作者概述了生长均匀多层和扭曲同质结构的技术路线。作者进一步总结了当前的研究策略，以指导未来2D vdW材料的按需制造以及后续工业应用的器件制造。
图1 2D vdW材料外延生长及其均质结构的代表性进展
图2 单畴成核控制
图3 多畴取向控制
图4 均质多层结构的制备
图5 扭转同质结构的制备
参考文献：
Can Liu et.al Understanding epitaxial growth of two-dimensional materials and their homostructures Nature Nanotechnology 2024
DOI: 10.1038/s41565-024-01704-3
https://doi.org/10.1038/s41565-024-01704-3
本文来自半导体技术情报，本文观点不代表石墨烯网立场，转载请联系原作者。
