浙江大学–Stone–Wales缺陷石墨烯在氧还原反应中的特殊活性-1T-PdO2的结构稳定性及其与石墨烯异质结界面性质的研究

研究了由1T-PdO2和石墨烯单分子膜组成的垂直异质结。结果表明,单分子膜和异质结都是能量和动态稳定的,声子谱中没有负频率,属于vdW型。1T-PdO2是一种间接带隙半导体,带隙值为0.5 eV(GGA)和1.54 eV(HSE06)。异质结的界面性质表明,在PdO2/石墨烯接触的垂直界面上,n型肖特基势垒高度(SBH)为负值,形成欧姆接触,这主要表明石墨烯具有与PdO2单分子膜有效电接触的潜力。然而,在平面内电流模型的基础上,横向界面出现了负的带状弯曲。此外,PdO2/石墨烯异质结在可见光照射下的光吸收明显增强

基于最近对PdSe2空气稳定性的研究,其中也报告了PdO2单层膜的亚稳定性。在本工作中,使用密度泛函理论(DFT)进一步探索了PdSe2单层膜的热稳定性、动态稳定性和机械稳定性,并研究了其结构和电子性质。进一步研究了由1T-PdO2和石墨烯单分子膜组成的垂直异质结。结果表明,单分子膜和异质结都是能量和动态稳定的,声子谱中没有负频率,属于vdW型。1T-PdO2是一种间接带隙半导体,带隙值为0.5 eV(GGA)和1.54 eV(HSE06)。异质结的界面性质表明,在PdO2/石墨烯接触的垂直界面上,n型肖特基势垒高度(SBH)为负值,形成欧姆接触,这主要表明石墨烯具有与PdO2单分子膜有效电接触的潜力。然而,在平面内电流模型的基础上,横向界面出现了负的带状弯曲。此外,PdO2/石墨烯异质结在可见光照射下的光吸收明显增强。

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图1. 单层PdO2的1T相的一部分的俯视图和侧视图;蓝绿色、红色固体球体分别代表Pd和O原子。

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图2. (a) 热力学稳定性,(b)声子色散模,(c)电荷密度差的俯视图和侧视图(黄色表示电子增益,而浅蓝色表示5×10-3 e/Å3等值面处的电子损耗),以及(d)ML PdO2的1T相的能带结构和投影态密度。

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图3. (a) 2×√3超单体PdO2单层膜的俯视图和侧视图。(b) 2×√2石墨烯超单体的俯视图和侧视图。(c) PdO2/石墨烯异质结的侧视图和顶视图示意图。蓝绿色、红色和灰色球体分别表示钯、氧和石墨烯原子。

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图4. (a) 利用AIMD模拟900 K至1 fs的总势能波动。(b) PdO2/石墨烯异质结的声子谱。

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图5. (a) 顶部和(b)电荷密度差3D图的侧视图,其中黄色和蓝色区域显示电荷积累和电荷耗尽。

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图6. (a) 总能带结构,(b)PdO2的投影能带结构(红色带),和(c)石墨烯的投影能带结构(绿色带)。费米能级移到零能量。

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图7.(a) PdO2/石墨烯异质结的投影态密度和静电势分布。费米能级移到零能量。

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图8.左侧:PdO2/石墨烯异质结的典型图示。A、 C和E代表三个区域,而B和D是两个不同的界面。黑色箭头显示电子或空穴从金属电极移动到PdO2通道(A到B到C到D到E)的路径。Φv为肖特基势垒,ΔEF为能带弯曲。右侧插图显示了典型场效应晶体管(FET)的示意图,带有源极和漏极触点以及沟道区域。

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图9. PdO2/石墨烯异质结的CIP模型和能带排列示意图,其中WH和WPdO2是PdO2/石墨烯异质结和非接触PdO2单层膜的功函数,EF是费米能级能量。黑色、绿色和紫色虚线分别表示PdO2/石墨烯异质结和非接触PdO2通道、Evac和EF之间的界面。蓝色实线表示PdO2/石墨烯异质结和非接触PdO2通道的CBM和VBM区域。

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图10.(a) 石墨烯/PdO2异质结、石墨烯和PdO2单分子膜的吸收系数、光学电导率和反射率百分比。

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图11.PdO2/石墨烯异质结的吸收系数。

相关研究成果由浙江大学Muhammad Yar Khan和深圳大学Arzoo Hassan等人2024年发表在ACS Omega (链接:https://doi.org/10.1021/acsomega.4c01305)上。原文:Exploring the Structural Stability of 1T-PdO2 and the Interface Properties of the 1T-PdO2/Graphene Heterojunction

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