在石墨烯基系统中，确定超导电性的基本成分，仍然是二维材料研究的关键问题之一。这一石墨烯研究领域，也关涉着凝聚态物理学中的非常规超导研究。在单层石墨烯的魔角转角堆栈magic-angle twisted stacks中，观察到了超导电性，但在双层石墨烯的转角堆中，却没有观察到超导电性，尽管这两个系统都具有拓扑平带和对称破缺态。
今日，加拿大 不列颠哥伦比亚大学（University of British Columbia）Ruiheng Su，Joshua Folk等，在Nature Materials上发文，在硒化钨WSe2附近的双层转角石墨烯twisted double bilayer graphene (TDBG)中，发现了超导电性。
在转角为1.24°和1.37°样品中，分别在价带和导带内，栅调相图的小口袋small pockets中发现了超导电性。超导电性出现在范霍夫奇点附近的非极化相，以及同位旋对称破缺的区域附近。研究表明，在双层转角石墨烯TDBG中，高态密度和超导电性出现之间的关联，同时揭示了同位旋涨落在配对中的可能作用。
Superconductivity in twisted double bilayer graphene stabilized by WSe2
硒化钨WSe2稳定了双层转角石墨烯的超导电性。
图1:器件特性。
图2:超导特性。
图3:在D1（转角twist angles 1.37°）中，超导电性的度量。
图4:范霍夫Van Hove奇点和同位旋极化相。
文献链接
Su, R., Kuiri, M., Watanabe, K. et al. Superconductivity in twisted double bilayer graphene stabilized by WSe2. Nat. Mater. (2023).
https://doi.org/10.1038/s41563-023-01653-7
https://www.nature.com/articles/s41563-023-01653-7
本文译自Nature。
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