自旋电子学迎新成果,科学家在室温下实现范德华异质结的自旋注入

由于范德华力的作用,当把不同的二维材料堆叠起来,就能形成一种异质结构—范德华(van der Waals)异质结,这种异质结也是一个研究新奇物理性质和概念验证的绝佳平台。

当前,最新的芯片技术已经接近原子尺度,采用先前的物理规律,很难进一步地缩小器件尺寸。面对尺寸效应带来的一系列问题,人们不得不从新材料和新物理中寻找突破口,以为下一代芯片做好准备。

想要在原子尺度研发芯片,就要从支撑芯片的材料开始,来探索新材料的物理性质。

其中,凭借在薄至单原子层(亚纳米)尺度之下仍能保持出色物理特性的优势,二维材料被视为下一代芯片的首选材料之一。而它真正地引起人们的广泛关注,是在发现单层石墨烯的科学家被授予 2010 年诺贝尔物理奖之后。随后十几年间,学界相继发现了其他二维材料,比如绝缘体、半导体、超导体和拓扑材料等。

由于范德华力的作用,当把不同的二维材料堆叠起来,就能形成一种异质结构—范德华(van der Waals)异质结,这种异质结也是一个研究新奇物理性质和概念验证的绝佳平台。

自旋电子学迎新成果,科学家在室温下实现范德华异质结的自旋注入

图| 芯片发展时间表(来源:Nature communications

直到最近几年,人们才发现相比传统磁材料,二维绝缘体 Cr2Ge2Te6、半导体(CrX3)和金属 FexGeTe2(x=3-5)等二维磁性材料具有很多优势。

比如,只需一个原子层就能形成铁磁性,双原子层却能构成反铁磁材料的 CrX3。而传统金属磁性材料由于其电屏蔽效应过强,导致很难实现栅极调控。

对于不少二维磁性材料来说,通过栅极调控不仅可以实现磁性的调控,还可以实现居里温度的巨大改变。该类材料还能带来近邻效应、转角堆叠等功能,故能提供较多的操控方式。

具体到应用场景上,二维金属磁性材料可被用作磁性隧道结、斯格明子和自旋轨道扭矩存储器器件,也能搭载在超快自旋电子学技术之中。

然而,目前大多数二维磁性材料的居里温度很低,一些器件的电子操作必须在低温下进行,这无疑给二维磁性材料的实际应用带来了巨大的障碍。

基于此,瑞典查尔姆斯理工大学博士后赵兵和所在团队开展了一项研究。期间,他们首次实现了室温下范德华异质结的自旋注入、输运和探测等动力学过程,并提出一种二维材料磁性或自旋纹理的全新探测方法,为自旋电子学领域带来了一项重要成果。

其有望加速基于二维磁性材料的实际应用,比如基于自旋的存储器、逻辑和神经形态计算体系结构的重要基本单元等。

自旋电子学迎新成果,科学家在室温下实现范德华异质结的自旋注入

图 | 赵兵(来源:赵兵)

日前,相关论文以《一种具有范德瓦尔斯铁磁体 Fe5GeTe2/ 石墨烯异质结构的室温自旋阀》(A Room-Temperature Spin-Valve with van der Waals Ferromagnet Fe5GeTe2/Graphene Heterostructure)为题发表在 Advanced Materials 上[1]。

赵兵是第一作者,瑞典乌普萨拉大学比普拉布·萨业欧(Biplab Sanyal)教授和瑞典查尔姆斯理工大学萨罗伊 P.达什(Saroj P. Dash)教授担任共同通讯作者。

研究中,考虑到金属 FexGeTe2 会随着 Fe 原子的富集浓度增加,其居里温度也会进一步提高。因此,该课题组携手合作者,合成了居里温度高达室温的 Fe5GeTe2

进一步地,他们制作了 Fe5GeTe2/ 石墨烯异质结、以及横向自旋阀器件。室温之下的输运测试证明,在一系列自旋阀操作中,该类器件具备较好的鲁棒性,这为探测二维材料中磁性和多方向自旋极化提供了新思路。

同时,赵兵的合作者使用密度泛函理论,对 Fe5GeTe2/ 石墨烯异质结构的磁性加以研究,让实验结果得到了很好的支持。

自旋电子学迎新成果,科学家在室温下实现范德华异质结的自旋注入

图 | 器件示意图。室温之下,Fe5GeTe2/ 石墨烯范德华异质结可以实现自旋的注入、输运和探测(来源:Advanced Materials

目前,基于对该类二维磁性材料的理解,课题组已经协同合作者,通过掺杂 Fe5GeTe2 得到一系列的二维磁性材料,在材料性质上涵盖面内磁各向异性和垂直磁各向异性,在材料类型上则涵盖铁磁和反铁磁等,物理背景比较丰富。基于这些材料,该团队也将开展更深入的研究。

参考资料:

1.Zhao, B., Ngaloy, R., Ghosh, S., Ershadrad, S., Gupta, R., Ali, K., … & Dash, S. P. (2023). Room Temperature Spin‐Valve with van der Waals Ferromagnet Fe5GeTe2/Graphene Heterostructure. Advanced Materials, 2209113.

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