集微网消息，据韩媒BusinessKorea报道，一家小型韩国公司开发了一种石墨烯EUV薄膜，有望显著提高荷兰半导体设备公司ASML的极紫外（EUV）光刻设备的良率。
11月14日，半导体和显示材料开发商石墨烯实验室宣布，公司已经开发出用石墨烯制造小于5纳米的EUV薄膜的技术，并准备批量生产新的EUV薄膜。
光罩薄膜(Pellicle)是用于保护EUV工艺中使用的掩模的一种关键制品，它对于5纳米或以下的超微制造工艺至关重要，这也是一种需要定期更换的消耗品。据介绍，该EUV薄膜可保护光掩模表面免受空气中分子或污染物的影响，由于EUV设备的光源波长较短，因此EUV薄膜需要变薄以增加透光率。
硅以前已被用于制造EUV薄膜，石墨烯实验室CEO Kwon Yong-deok表示，石墨烯比硅更薄、更透明，石墨烯制的EUV薄膜将作为使用EUV光刻设备良率的助推器。
报道指出，全球EUV薄膜市场预计将在2024年达到1万亿韩元。“三星电子，台积电和英特尔是石墨烯实验室的潜在客户。”Kwon表示。
（校对/赵月）
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