成果简介
双层石墨烯 (BLG) 因其独特的可调节物理性质而引起了极大的研究兴趣，这些物理性质取决于扭曲角度和层间相互作用。因此，控制 BLG 的电子特性对于开发其在许多领域的潜在应用至关重要，本文，复旦大学孙正宗研究员团队在《Carbon》期刊发表名为“Tuning electrical coupling in bilayer graphene”的论文，专门研究了通过化学气相沉积（CVD）生长的具有约0°和约30°两个代表性扭曲角的BLG单晶。原始BLG单晶的表面电位表明，单层石墨烯 (SLG) 与 BLG 之间的表面电位差为约0° BLG 低于约30° BLG。此外，使用重氮盐反应和氮掺杂，BLG 的电耦合和性质被可逆地调整。BLG产生的表面电位可以在 0到50mV 的宽范围内调节。
图文导读
图1。CVD生长的扭曲BLG单晶。
图2。化学修饰的BLG
图3。原始和化学改性BLG的表面电位
小结
总之，可以通过化学修饰方法调整 BLG 的电子特性，以改变层间耦合和载流子密度，如重氮盐反应和N掺杂。两个石墨烯层之间的层间空间和相互作用可以通过化学修饰方法进行调整。这些结果也可用于类似的π电子体系和其他层状体系，如过渡金属二硫属化物。可以通过控制层间空间和层间耦合来调整这些系统的电气特性。
文献：https://doi.org/10.1016/j.carbon.2022.09.038
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