魔角扭曲双层石墨烯Magic-angle twisted bilayer graphene,tBLG显示出多种对称破缺相、相关的陈氏绝缘体、轨道磁性和超导电性。特别地,当能带被每个莫尔晶胞奇数个电子填充时,已经观察到反常霍尔效应,这表明出现了具有自发破缺的时间反演对称性的零场轨道磁态。
近日,Matthew Yankowitz团队Chun-Chih Tseng,Xuetao Ma,Zhaoyu Liu等,在Nature Physics上发文,报道给出了两个扭曲角稍微偏离魔角石墨烯tBLG器件的测量结果,并报告了在电子和空穴莫尔带的半填充时,实验观察到的反常霍尔效应。
研究认为两个因素,即远离魔角增加的能带色散,以及封装氮化硼的衬底电势,可能在稳定半填充的谷极化基态中,起关键作用。这一研究发现,进一步拓展了魔角石墨烯tBLG的丰富相关相图,并表明需要对其紧密竞争的对称破缺序流形,进行更全面的理解。
Anomalous Hall effect at half filling in twisted bilayer graphene.
扭曲双层石墨烯半填充时的反常霍尔效应。
图1:魔角扭曲双层石墨烯Magic-angle twisted bilayer graphene,tBLG,半填充时的反常霍尔效应anomalous Hall effect,AHE。
图2:器件D1中,反常霍尔效应AHE的温度依赖性。
图3:半填充时,对称性破缺和磁态翻转。
图4:具有半填充的反常霍尔效应AHE候选基态的示意图。
文献链接:https://www.nature.com/articles/s41567-022-01697-7
DOI: https://doi.org/10.1038/s41567-022-01697-7
本文译自Nature。
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