Nano Lett.：双层石墨烯-CrCl3/CrBr3/CrI3范德华界面中的带隙打开

成果介绍

近日，瑞士日内瓦大学Alberto F. Morpurgo和Giulia Tenasini（共同通讯作者）等报道了通过双层石墨烯(BLG)/三卤化铬(CrX₃;X=Cl,Br,I)范德华界面传输的实验研究。在所有情况下，都会发生从BLG到CrX₃的大量电荷转移（达到超过10¹³ cm^-2的密度），并产生垂直于界面的电场，从而在BLG中打开带隙。本文确定了电导率活化能的差距，并发现与最新理论非常一致，该理论解释了σ带对BLG介电敏感性的贡献。进一步研究表明，对于BLG/CrCl₃和BLG/CrBr₃，可以从低温电导率的栅极电压依赖性中提取带隙，并利用这一发现来细化带隙对磁场的依赖性。本文的研究结果允许将BLG的电子性质与理论预测进行定量比较，并表明占据CrX₃导带的电子是相关的。

图文导读

图1. BLG/CrX₃界面中的带隙打开。

图2. BLG/CrX₃异质结中平方电导的温度演变

图3. BLG/CrX₃界面中带隙的电场依赖性。

图4. BLG带隙的磁场依赖性。

文献信息

Band Gap Opening in Bilayer Graphene-CrCl₃/CrBr₃/CrI₃ van der Waals Interfaces

(Nano Lett., 2022, DOI:10.1021/acs.nanolett.2c02369)

文献链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.2c02369