半导体石墨烯纳米带是一种具有前景的重要纳米电子学材料,但是合成石墨烯半导体纳米带非常困难。有鉴于此,威斯康星大学麦迪逊分校Michael S. Arnold等报道通过分子尺度碳作为晶种引发CVD生成石墨烯,通过沿着晶种的特定进行单方向生长,合成宽度小于5 nm的石墨烯纳米带。
本文要点:
(1)在这种方法中,通过类石墨烯结构多环芳烃分子升华到Ge(001)催化剂表面,随后通过CH4 CVD沿着<110>取向进行各向异性生长尺寸可调控的石墨烯纳米带。
合成的扶手椅式纳米带(Armchair nanoribbon)的归一化平均标准差仅为11 %(比没有晶种条件生长的纳米带标准差低三倍),纳米带的长宽比达到30,通过调节暴露于CH4的时间,纳米带的宽度能够达到2.6 nm。
(2)对两组不同宽度的纳米带构建FET场效应晶体管进行比较,发现因为不同宽度纳米带导致,器件的切断电流区别达到150倍。
参考文献
Way, A.J., Jacobberger, R.M., Guisinger, N.P. et al. Graphene nanoribbons initiated from molecularly derived seeds. Nat Commun 13, 2992 (2022)
DOI: 10.1038/s41467-022-30563-6
https://www.nature.com/articles/s41467-022-30563-6
本文来自纳米人,本文观点不代表石墨烯网立场,转载请联系原作者。