通过等离子球磨法合成了具有高振实密度(2.3g·cm-3)的SnSe/少层石墨烯(FLG)复合材料,其中SnSe纳米颗粒与FLG基体紧密结合。FLG可有效缓解SnSe在循环过程中体积膨胀产生的应力。等离子球磨后,FLG上形成大量空位缺陷,使SnSe纳米颗粒与FLG基质之间具有很强的亲和力,防止长期循环后SnSe颗粒聚集或分离。作为锂离子电池的负极,在所报道的SnSe基阳极中寿命最长(在1.0A·g-1下2000次循环后容量保持率为92.8%)。钠离子电池中,1.0A·g-1下1000次循环后容量保持率为91.6%。是一种很有前途的高性能锂/钠离子电池负极。
材料制备
将Sn粉、Se粉和EG在不锈钢小瓶中混合,(Sn/Se)/EG的质量比为7:3,Sn/Se的摩尔比为1:1,在纯氩气氛下等离子球磨处理20小时合成SnSe/FLG。P-milling是一种结合高能球磨和介质阻挡放电等离子体的材料加工方法。通过在没有等离子体的情况下对上述混合物进行球磨20小时合成SnSe/C。摩尔比为1:1的Sn粉和Se粉的混合物进行P-milling20小时来合成裸SnSe。
结果与讨论
EG进行P-milling后,数百纳米的初级粒子组装成几微米的次级粒子,振实密度高达2.30g·cm-3。附聚物的表面变得光滑并涂有薄膜,表明FLG已成功包覆SnSe。SnSe/FLG粒径远小于SnSe和SnSe/C。
图1 (a)SnSe/FLG的SEM图 (b)SnSe/FLG的TEM图 (c)SnSe/FLG的SAED图 (d)(b)-A区的HRTEM图 (e,f)放大A区域的HRTEM图 (g)(b)-B区的HRTEM图 (h,i)B区域的放大HRTEM图
SnSe、SnSe/C和SnSe/FLG中SnSe晶体的平均尺寸分别为24、15和8nm。与传统球磨相比,P-milling可以更有效地减小SnSe晶体的尺寸,并且FLG包覆可以减少SnSe晶体的聚集。拉曼光谱表明P-milling20小时层状EG更好的剥离为FLG,引起的缺陷(如空位等)更多。FLG基体的缺陷有利于Sn-C和Se-C键的形成,这增加了FLG对SnSe的亲和力,是该负极具有优异循环稳定性的关键之一。
图2 (a)SnSe、SnSe/C和SnSe/FLG的XRD图谱。(b,c)EG、SnSe/C 和 SnSe/FLG 的拉曼光谱。(d−f) SnSe/FLG 的 C 1s、Sn 3d 和 Se 3d XPS 光谱
上述独特的微纳结构SnSe/FLG复合材料作为LIB负极表现出优异的电化学性能。SnSe/FLG的体积容量优于大多数报道的LIB阳极。在随后的循环中,放电/充电曲线相似,表明 SnSe/FLG具有高循环稳定性。SnSe/FLG的倍率性能优于SnSe和SnSe/C。此外,随着电流密度降低,容量也可以完全恢复。经过200次循环后,SnSe/FLG仍可提供830.8mAh·g-1的高容量,容量保持率为96.1%。SnSe和SnSe/C表现出严重的容量衰减,在200次循环后容量保持率分别仅为65.5%和30.4%。SnSe/FLG表现出最高和最稳定的库仑效率,这表明其具有最佳的反应可逆性和结构稳定性,优于其他报道的基于SnSe的阳极。
图3 电化学性能对比 Li/Li+。(a)CV曲线 (b)SnSe/FLG在0.2A·g-1的放电/充电曲线 (c)SnSe、SnSe/C和SnSe/FLG的倍率性能 (d,e)SnSe、SnSe/C和SnSe/FLG在0.2A·g-1下的循环性能和库仑效率 (f)在高电流密度下测试的SnSe/FLG的循环性能 (g)本工作中用于锂离子电池的SnSe/FLG阳极的循环稳定性与最近报道的SnSe基阳极的比较
循环前SnSe和SnSe/C电极的厚度约为8.3和8.0μm,在0.2A·g-1下循环200次后厚度增加到约 25.2和18.9μm,循环后的电极出现了一些裂纹。SnSe/FLG电极在循环前后厚度从8.1变为10.2μm,变化不明显。循环后SnSe/FLG电极保持完整,没有裂纹。相反,在SnSe和SnSe/C电极中有严重的裂纹。再次证明Sn-C和Se-C共键和FLG载体可以有效地抑制大的体积变化并防止电极的解体。
图4 (a-c)循环前SnSe、SnSe/C和SnSe/FLG电极的横截面SEM图 (d-f)循环后SnSe、SnSe/C和SnSe/FLG电极的横截面SEM图 (g-i)SnSe、SnSe/C和SnSe/FLG电极在循环后的表面SEM图
SnSe相可以在锂化/脱锂过程后重新出现在200次循环后,SnSe/FLG(111)峰的半峰宽几乎没有变化,大多数SnSe纳米颗粒仍然均匀分布在SnSe/FLG电极中的碳基体中。
图5 (a-c)不同循环后SnSe、SnSe/C和SnSe/FLG电极的非原位XRD图 (d-f)SnSe、SnSe/C和SnSe/FLG电极在循环后的TEM图 (g-i)SnSe、SnSe/C和SnSe/FLG电极在循环后的HRTEM图
全电池测试显示在0.5-3.3V的电压窗口中,在0.5A·g-1下表现出602mAh·g-1的高可逆容量,在120次循环后仍保持526mAh·g-1的高容量。此外,SnSe/FLG复合材料还表现出极好的钠储存性能。
图6 (a,b)SnSe/FLG//LiFePO4全电池在0.5和3.3V之间在0.5A·g-1下测试的放电/充电曲线和循环性能 (a)的插图是由全电池点亮的LED面板。电化学性能与Na/Na+的关系:(c)SnSe/FLG在0.2mV·s-1下扫描的CV曲线 (d)SnSe/FLG在0.2A·g-1下的放电/充电曲线 (e)SnSe、SnSe/C和SnSe/FLG在0.2A·g-1下的循环性能 (f)SnSe、SnSe/C和SnSe/FLG的倍率性能 (g)在高电流密度下测试的SnSe/FLG的循环性能
上述结果表明,微纳米结构的SnSe/FLG复合材料作为LIB和SIB阳极表现出极好的电化学性能。优异的电化学性能与其独特的结构密切相关:(1)所获得的微尺寸二次颗粒具有高振实密度,从而导致高体积容量和高体积能量密度。(2)FLG基体可以作为柔性缓冲层,有效缓解循环过程中SnSe体积变化产生的大应力,同时还可以作为导电网络,为电子和离子传输提供快速通道。(3)Sn-C和Se-C的共键得益于大量空位缺陷的形成,使得SnSe纳米颗粒与FLG基体之间具有很强的亲和力,即使经过多次循环,也可以通过防止SnSe聚集和分离来稳定电极结构。
结论
开发了一种简便的P-milling一步法,用于合成具有高振实密度的微纳米结构SnSe/FLG复合材料,其中SnSe纳米颗粒与FLG基质牢固结合,组装纳米级初级粒子,然后组装微米级二级颗粒。FLG基质由于其超强的强度,可以有效缓解SnSe的大循环引起的应力。由EG到FLG的Pmilling剥离中形成大量C空位缺陷形成Sn-C和Se-C共键,使SnSe纳米颗粒与FLG基质之间具有很强的亲和力,防止SnSe聚集和在长时间循环后脱落。
以上结论来自于
Cheng, Deliang, Yang, et al. Sn-C and Se-C Co-Bonding SnSe/Few-Layered Graphene Micro-Nano Structure: Route to a Densely Compacted and Durable Anode for Lithium/Sodium-Ion Batteries.
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