继GFET S30发布后,Graphenea Foundry很高兴地宣布开发高K金属栅极(HKMG)制造工艺,以在石墨烯或GFET上创建场效应晶体管(FET)结构。从 2022 年 2 月开始,此流程现已在专用的 GFAB 服务下提供。
HKMG结构在2000年代初推出时引发了硅电子学的革命,创造了SiO2的替代品栅极电介质为进一步扩展铺平了道路。HKMG技术确实使摩尔定律得以延续,与以前最先进的SiO相比,提供了更大的电容和更低的电流泄漏2技术。
调制石墨烯电导的最常见FET架构使用SiO2在大量掺杂的硅衬底上生长的栅极电介质。虽然这种结构易于实现,但当SiO2层被稀释时,它会出现过大的电流泄漏。通常使设备无法使用。此外,基板充当全局后门,禁止操纵单个GFET器件,这对于许多应用至关重要。
HKMG工艺现在由Graphenea Foundry引入,同时解决了GFET的栅极泄漏和单个寻址问题,从而进一步可靠地扩展了器件。使用氧化铝作为栅极电介质,我们能够构建具有积极介电放大到仅 5 nm 的等效氧化物厚度 (EOT) 的 FET 结构。与标准 90 nm SiO2 电介质相比,新技术使设备能够在十倍的栅极电压降低下运行,这使得石墨烯的GFET更容易获得并与更广泛的电子设备兼容。出色的是,这同时降低了从nA到pA范围的漏电流,性能提高了1000倍。
除了上述数量优势外,新技术还通过启用电导的局部调制,标志着质的飞跃,用于处理芯片上的单个器件。这在许多应用中最为重要,尤其是在光电子学和光子学领域。HKMG工艺可以制造用于光电探测器阵列的像素化结构,以及用于波导电光调制的HKMG结构。
这两个应用代表了石墨烯在不久的将来最大的技术和商机,并且两者都可以通过Graphenea Foundry开创的HKMG工艺获得。
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