Nano Letters:石墨烯在h-BN上的自发折叠生长

近日,中科大曾长淦教授,韩国汉阳大学Jun-Hyung Cho报道了采用一种简单的化学气相沉积(CVD)方法,在h-BN衬底上实现了石墨烯的自发折叠生长。

石墨烯一直是许多研究的主题,特别是,石墨烯折纸和剪纸术的概念启发了准三维石墨烯结构的设计,这些结构具有独特的机械、电子和光学性质。然而,精确控制石墨烯的折叠过程仍然是一个巨大的挑战。

近日,中科大曾长淦教授,韩国汉阳大学Jun-Hyung Cho报道了采用一种简单的化学气相沉积(CVD)方法,在h-BN衬底上实现了石墨烯的自发折叠生长。

文章要点

1研究发现,当石墨烯生长温度高达1300 °C时,两层堆叠的石墨烯层会共用一条边,从而形成折叠边。

2第一性原理密度泛函理论(DFT)计算表明,折叠边缘的双层石墨烯比开放边缘的双层石墨烯更稳定。

3利用这种新的生长模式,研究人员最终实现了具有边缘完全封闭的六角星形双层石墨烯。

这项工作为设计具有新折叠尺寸的石墨烯器件提供了一条有效途径。

Nano Letters:石墨烯在h-BN上的自发折叠生长

参考文献

Xiaodong Fan, et al, Spontaneous Folding Growth of Graphene on h‑BN, Nano Lett., 2021

DOI: 10.1021/acs.nanolett.0c04596

https://dx.doi.org/10.1021/acs.nanolett.0c04596

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