随着石墨烯向工业的渗透，大规模生产高质量的石墨烯薄片至关重要，是弥补实验室研究和商业应用之间差距的关键。
近日，印度理工学院巴特那校区Anup Kumar Keshri报道了一种超快和可扩展的策略，直接将石墨剥离成高质量的石墨烯，并且对单层具有高选择性，不需要使用任何插层剂、化学品或溶剂。
文章要点
1）研究发现，采用DC等离子喷涂技术可以以极高的产率，用于具有高单层选择性（85%）的石墨剥离。从而无基底缺陷（ID/IG=0）和高纯度（C/O比：21.2；sp2%=95%）的石墨烯，在实验室规模上的产率高达48 g/h。
2）所剥离的石墨烯在需要大量高质量石墨烯的应用中具有良好的性能，在不同的偏压下表现出较高的杨氏模量(850 GPa)和良好的电导率。同时，剥离后的石墨烯薄膜方阻低至30 Ω/sq。此外，剥离石墨烯还具有极高的比电容值（375 F/g）和极低的摩擦系数（COF=0.03）。
参考文献
Aminul Islam, et al, Ultra-Fast, Chemical-Free, Mass Production of High Quality Exfoliated Graphene, ACS Nano, 2021
DOI: 10.1021/acsnano.0c09451
https://dx.doi.org/10.1021/acsnano.0c09451
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