石墨烯是零带隙半导体材料（又称半金属），它的一个突出优点是具有非常高的载流子迁移率。为了将石墨烯应用于新一代电子学，通常需要在石墨烯材料中将带隙打开。但是，带隙的打开往往会导致迁移率的下降。因此，如何兼顾带隙与迁移率，就成为石墨烯研究的一个重要问题。最近，我们对石墨烯纳米带的迁移率性质进行研究，导出本征迁移率的一个解析公式，不但很好地说明了第一性原理计算的结果，并且预言了应变导致的输运极性的翻转。
该研究成果以封面文章的形式发表在Journal of Chemical Physics上：Jinying Wang, Ruiqi Zhao, Mingmei Yang, Zhongfan Liu*, and Zhirong Liu (2013) Inverse relationship between carrier mobility and band gap in graphene. J. Chem. Phys. 138, 084701/1-5. 论文第一作者为化学学院直博生王进莹（2014届毕业生，导师刘志荣）。
文章链接：Jinying Wang, Ruiqi Zhao, Mingmei Yang, Zhongfan Liu*, and Zhirong Liu*. Inverse relationship between carrier mobility and band gap in graphene. J. Chem. Phys. 138, 084701 (2013). （封面文章）
https://doi.org/10.1063/1.4792142
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