铜上的单层石墨烯

石墨烯和其他超薄材料越来越多地应用于开发人员和研究人员的工作中。这在很大程度上得益于通过更高的技术独创性对单层和少层材料进行功能化的共同努力。如今，制造商可以通过化学气相沉积（CVD）技术，在各种生长基底上制造出高纯度的单层石墨烯。

在铜箔上进行化学气相沉积合成石墨烯越来越常见，原因有以下几点。铜基底的碳溶解度极低，对常见氧化辅助气体的催化作用相当弱，因此只要铜箔纯度高且具有相对均匀的形貌特征，就能生长出高质量的单层石墨烯。因此，铜仍然是 CVD 单层石墨烯最有前景的生长基底之一。

在铜上生长单层石墨烯的一个长期问题是会产生大量铜废料。典型的转移技术会消耗铜生长基底，从而加剧了对高成本和生产可持续性差的担忧。

在 Grolltex，我们认识到铜基单层石墨烯的巨大潜力，并决心开发出一种解决方案来解决这一转移问题。

引入金属辅助剥离（MAE）

金属辅助剥离（简称 MAE）是一种专有技术，旨在解决在铜上生产石墨烯的转移问题。首先，我们通过 CVD 在铜箔上生长单层石墨烯，然后使用镍或钴对薄膜进行金属化。接着，我们在金属薄膜上贴上热剥离胶带，将两种表面结构从铜箔上剥离。底层铜膜现在可以重新用于后续的石墨烯生长。通过与 PET 薄膜层压来去除剥离带，然后将金属化石墨烯放入蚀刻液中或留在石墨烯上进行后续图案化，最终在临时 PET 表面形成单层石墨烯结构。

在 Grolltex，我们在厚度仅为 25 微米（μm）的铜箔基底上生成单层石墨烯。利用我们的专利 MAE 工艺，我们可以将单层或少层结构转移到可供选择的转移基底上。我们还可以提供铜箔石墨烯成品，总覆盖率不低于 95%。为了确保您不会有任何猜测，我们在 1000 级洁净室环境中培育和包装所有石墨烯产品，并实施严格的光学、电气和拉曼质量保证和控制（QA/QC）。因此，我们的 CVD 单层石墨烯是市场上质量最高的石墨烯。如需了解更多信息，请联系我们。