石墨烯类二维材料纳米尺寸效应的密度泛函研究

报告人：赵建华

时间：2019年7月19日（周五）上午10点

地点：知新楼C1011

邀请人：杨欢

报告摘要：

随着电子设备及器件的逐渐微型化，纳米尺寸效应对材料性质和器件功能的影响越来越显著。结合近年来对石墨烯、硅烯和锗烯等第四主族二维材料电子自旋性质的理论研究，首先介绍空位形状及大小对石墨烯能带结构和基态磁性的影响，讨论含空位石墨烯的基态磁矩与空位大小及形状之间的关系；然后分别探讨不同带间距及不同纳米带宽度对侧向面内平行的石墨烯类二维材料(石墨烯、硅烯、锗烯、锡烯和铅烯)纳米带电子自旋性质的影响，探寻能保持纳米带性质的最小带间距离和最小纳米带宽度。研究结果可能为基于石墨烯类二维材料纳米电子（自旋）器件的设计—特别是器件微型化—提供理论指导，推动二维材料在自旋电子学方面的发展。

报告人介绍：

赵建华副教授， 2012年于南河师范大学获得理学博士学位，同年至济宁学院工作 。主要从事低维材料电子结构方面的理论研究，运用基于密度泛函理论的第一性原理方法，先后对硅表面原子吸附、石墨烯类二维材料及单层过渡金属硫族化合物等体系的原子及电子自旋性质进行了理论模拟研究。