早在4年前，IBM投入了30亿美元用来研发纳米电子器件，最近IBM的研究人员首次实现了在石墨烯表面以97%的准确性在特定的石墨烯基底上沉积如量子点、碳纳米管、层状纳米材料等。采用了纳米材料经典的自上而下和自下而上的混合工艺
1、在碳化硅基底上生长石墨烯，再揭下放在硅/氧化硅晶片上；
2、刻蚀石墨烯，产生层积位点，没被刻蚀的石墨烯充当下一步的电极；
3、在交流电场中使溶液里的纳米材料被附在石墨烯层积位点附近；
4、除去石墨烯层积电极。
这种方法的最大好处在于能够以纳米级分辨率层积各种纳米材料，石墨烯电极使得层积的纳米材料有很好的取向和密度。
在石墨烯上层积纳米材料不失为一种跨越摩尔定律的好方法。 ”
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